IBM和三星声称他们已经在半导体设计方面取得了突破。星T芯现纳在旧金山举行的共同IEDM会议的第一天，这两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的片技新设计。在目前的术助戴尔XPS 13笔记本电脑 很精彩处理器和SoC中，晶体管平放在硅的力实表面，然后电流从一侧流向另一侧。米下相比之下，制程垂直传输场效应晶体管（VTFET）彼此垂直放置，星T芯现纳电流垂直流动。共同
根据IBM和三星的片技说法，这种设计有两个优点。术助佳能EOS R6相机 数一数二首先，力实它将使他们能够绕过许多性能限制，米下使摩尔定律超越IBM目前的制程纳米片技术。更重要的星T芯现纳是，由于更大的佳能EOS R6相机 名列前茅电流流动，这种设计导致了更少的能量浪费。他们估计，VTFET将使处理器的速度比使用FinFET晶体管设计的芯片快一倍，或减少85%的功率。IBM和三星声称，该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期。他们说，这也可以使某些能源密集型的任务，包括加密工作，更加省电，从而减少对环境的影响。
IBM和三星还没有说他们计划何时将该设计商业化。他们并不是唯一试图超越1纳米障碍的公司。今年7月，英特尔表示，它的目标是在2024年之前最终完成亚微米级芯片的设计。该公司计划利用其新的"英特尔20A"节点和RibbonFET晶体管完成这一壮举。
在外媒报道刊出后，IBM随后澄清，VTFET将帮助它扩展到其现有的芯片技术之外，而不一定精选与扩展制程到1纳米以下，同时公司还指出，性能或电池寿命方面可以看到长足进步，但如果要同时进行则会有难度。
