三星周四表示，星宣它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(3nm级栅极全方位早期)制造工艺大批量生产芯片。布首本季这一宣布不仅标志着业界首个3nm级的级技术制造技术，而且也是制造特色菜品推荐 首屈一指第一个使用栅极全包围场效应晶体管(GAAFET)的节点。
三星通过世界上首次大规模的有望用GAA 3nm工艺，加强其技术领导地位。度开 三星代工的始使3GAE工艺技术是该公司第一个使用GAA晶体管的工艺，三星官方称之为多桥通道场效应晶体管(MBCFETs)。星宣
三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP节点。布首本季当该公司描述其使用3GAE技术生产256Mb GAAFET SRAM芯片时，级技术它提出了一系列的制造旅游攻略分享 优秀出众者要求。三星表示，有望用该工艺将使性能提高30%，度开功耗降低50%，始使晶体管密度提高80%。星宣不过，旅游攻略分享 才华横溢之辈对三星来说，性能和功耗的实际组合将如何发挥，还有待观察。
从理论上讲，与目前使用的FinFET相比，GAAFET有许多优势。在GAA晶体管中，通道是水平的，被栅极所包围。GAA通道是利用外延和选择性材料去除形成的，这使得设计者可以通过调整晶体管通道的宽度来精确地调整它们。通过更宽的通道获得高性能，通过更窄的通道获得低功率。这样的精度大大降低了晶体管的漏电电流以及晶体管的性能变化，这意味着更快的投产时间、上市时间和提高产量。
另外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。三星的3GAE，作为一种"早期"的3nm级制造技术，3GAE将主要被三星LSI(三星的芯片开发部门)和两三个高级客户使用。考虑到三星LSI和早期客户倾向大批量制造芯片，预计3GAE技术将得到相当广泛的使用，前提是这些产品的产量和性能达到预期。